标签:"字线"相关文章

半导体产业纵横(半导体产业纵横 陈立华)

三星自2024年4月实现量产的第九代286层3D NAND闪存，就已在金属布线核心环节引入钼材料；其层数突破400层的第十代新一代3D NAND产品，目前已完成工艺验证，计划于2026年下半年推向市场，同时三…...

2026-06-11阅读161

三星突破10纳米DRAM瓶颈#三星3纳米芯片弯道超车

该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起转向3DDRAM结构。 技术上，单元面积由传统6F²缩减至4F²，可提升单位面…...

2026-04-24阅读89

SK 海力士新技术破解存内计算瓶颈：3D FeNAND 能效提升 7.17 倍、算力提升 20.4 倍(sk海力士公司)

针对上述挑战，研究团队从存储单元特性、非单元电路以及计算方案三个层面，对 3D FeNAND进行了协同优化，以同时提升能效和吞吐率（TOPS）。相比之下，超高密度的 3D FeNAND 阵列无需更新权重，…...

2026-01-18阅读115

长鑫科技申请半导体器件及其制备方法、动态随机存储器专利，该半导体器件包括沟道结构、位线和字线(长鑫科技有限公司)

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利，公开号CN121218583A，申请日期为2024年6月。企业注册资本6019279.7469万人…...

2025-12-26阅读94