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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储(国产半导体设备进入2.0阶段)

快科技9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。北方华创的方案针对硅与硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构。更关键的是，在6…...

2026-09-05阅读201

紧抓快干 提速增效 盐城国科华创二期改造项目建设全速推进(真抓实干紧抓快干)

作为园区氢能核心材料领域的重点项目，国科华创二期工程改造正高效推进。此次改造并非简单的空间修缮，而是一次基于市场需求与技术逻辑的深度转型——将原有办公场地全面改造为镍纤维气体扩散层专业化生产场地，为AEM电解…...

2026-06-15阅读76

【NAURA ETCH GO】北方华创发布全新一代12英寸NMC612H电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备#natracare

该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡…...

2026-03-25阅读184

北方华创申请射频输出装置及半导体工艺设备专利，避免了IMD反射对射频源的影响(北方华创申请射频引入组件专利)

国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“一种射频输出装置及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121617888A，申请日期为2024年8月。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子…...

2026-03-07阅读92