深圳职业技术大学申请采用金刚石热沉的半导体芯片专利，避免了金属全覆盖带来的巨大热应力#深圳职业技术大学是本科吗

国家知识产权局信息显示，深圳职业技术大学;湖州镓奥科技有限公司;深圳镓奥科技有限公司申请一项名为“一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121925124A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法，包括：功率芯片，为高能量密度、高发热的高功率半导体芯片；导热基板，为常用的热沉基板；金刚石沉积层，为在导热基板上沉积形成的图形化金刚石薄膜；过渡层，设于金刚石沉积层远离导热基板的一侧，用于增强结合力并防止界面反应；图形化金属化层，设于过渡层远离金刚石沉积层的一侧，用于与功率芯片实现焊接或共晶键合。高效的导热路径，直接位于芯片下方的厚金属键合区提供了低热阻的垂直导热通道，而图形化的应力缓冲结构在保证横向导热的同时，避免了金属全覆盖带来的巨大热应力。

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