JEOL公司宣布，其新型低角度离子铣削扫描电子显微镜（SEM）HAXIS已开发成功，并将于2026年10月5日开始销售。HAXIS专为先进芯片的失效分析而设计，旨在应对半导体器件日益复杂和微缩所带来的挑战。
随着先进半导体器件结构持续微缩且复杂性不断增加，传统的纳米操纵器接触和测量微米级电路变得愈发困难。此外，探针接触可能对分析目标造成影响，这促使对新型失效分析方法的需求日益增长。JEOL公司长期致力于被动电压对比（PVC）检测技术的研究，并通过探测器和样品制备技术的进步，建立了稳定且高度可重复的PVC观测方法。
HAXIS平台是JEOL公司在半导体失效分析领域的新成果，它整合了上述先进技术。该系统即使在先进半导体器件上也能实现清晰且高度可重复的PVC观测。通过可视化检测电气异常，同时最大程度地减少加工损伤和污染的影响，HAXIS能够高效地识别缺陷位置并确定其根本原因。
被动电压对比观测的质量受分层后样品表面状况的显著影响。HAXIS采用独特的低角度离子铣削（LIM）分层技术，利用氩气（Ar）离子束对样品表面进行处理，从而创建出平坦且损伤最小的表面。这项技术确保了即使在先进器件中，也能在保留结构和电位信息的同时，实现清晰且高度可重复的PVC观测。
HAXIS在离子铣削过程中采用惰性气体氩气，这不仅保障了样品表面质量的稳定性，还有助于降低系统的运行成本。
半导体失效分析通常涉及多个步骤，从缺陷定位到物理分析再到根本原因调查。随着器件复杂性的提升，缩短从失效检测到获得有效结果的周转时间变得至关重要。HAXIS通过整合LIM分层技术、扫描电子显微镜成像和被动电压对比（PVC）分析，引入了一种新的失效定位方法。这种一体化的工作流程使得失效位置的识别更加迅速和精确，有效支持了快速周转时间（QTAT）的失效分析，并加速了从电性失效检测向物理分析和根本原因识别的过渡。
