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英冉半导体取得多级台阶式芯片集成封装结构专利,可有效降低整个芯片封装后的体积(英诺赛科取得半导体专利)

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国家知识产权局信息显示,西安英冉半导体科技有限公司取得一项名为“一种多级台阶式芯片集成封装结构”的专利,授权公告号CN224910132U,申请日期为2025年11月。企业注册资本500万人民币。 声明:市场…...