英冉半导体取得多级台阶式芯片集成封装结构专利，可有效降低整个芯片封装后的体积(英诺赛科取得半导体专利)

国家知识产权局信息显示，西安英冉半导体科技有限公司取得一项名为“一种多级台阶式芯片集成封装结构”的专利，授权公告号CN224910132U，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种多级台阶式芯片集成封装结构，具体涉及芯片封装技术领域，包括基板，所述基板的四周设置有引脚，且述基板的外侧开设有限位槽；台阶槽，所述台阶槽开设在基板的中间处，所述台阶槽包括从下至上的底台阶槽、中台阶槽和上台阶槽；芯片，所述芯片通过胶水粘贴在底台阶槽内，所述芯片的电极焊盘与引脚通过引线电连接；本申请通过在基板的内部嵌入式开设底台阶槽、中台阶槽和上台阶槽，可将芯片嵌入式安装在基板的内部，可有效降低整个芯片封装后的体积；通过可伐环框可同时将基板和盖板进行包裹限位，进而提高芯片封装后的稳定性，通过密封槽、密封板和插孔、插杆，可进一步提高盖板在基板上的稳定性。

天眼查资料显示，西安英冉半导体科技有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，西安英冉半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可4个。

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