通富微电在互动易上回应了一个让市场意外的消息：计算芯片+HBM先进封装，公司自主完成的核心封装工序目前仍有限，HBM裸die堆叠封测相关产品主要由国际Memory IDM大厂主导【互动易，2026-10-08】。10月8日的这份官方口径，给大半年来的"HBM国产封测自主"炒作泼了一盆冷水。
先讲清楚HBM封测到底封什么。HBM是一摞垂直堆叠的DRAM芯片，要用硅通孔（TSV）打穿每一层，再用混合键合把8层、12层甚至16层的die压合成一个模组。这道工序和先进DRAM制程深度绑定，所以HBM的裸die堆叠环节一直是在存储大厂内部完成的，不外包给封测厂。通富说的"国际Memory IDM大厂主导封测"，就是这个意思。
那国产封测厂在HBM链条上卡在哪里？看几家龙头公司的实际布局就清楚了。
通富微电是中国封测第二、全球前五，2.5D/3D集成与HBM高带宽堆叠封装已批量交付，先进封装收入占比超过70%。公司2026年上半年归母净利预计16亿到18亿元，同比增长288%到337%，已经超过去年全年。42.2亿元扩产项目获批，其中存储芯片封测项目总投资约8.88亿元，年新增产能84.96万片。
长电科技是全球第三、中国大陆第一，2D/2.5D/3D集成、TSV、扇出型封装、SiP异构集成都在做。华天科技是全球第六，有自主知识产权的eSiFO扇出封装，存储封装覆盖eMMC、UFS、LPDDR、DDR等全系列。
把这三家的产品线叠起来看，国产封测的真实卡位有两条：一是2.5D集成，把HBM模组和逻辑芯片共封到中介层或硅桥上，这是AI芯片先进封装里国产能参与的环节；二是传统存储封测，DRAM和NAND的高叠层、多芯片合封，通富的扩产项目也把存储作为重点投入方向之一——存储项目总投资约8.88亿、约占总募资21%，汽车电子项目11亿更大，并非把宝全押在存储封测上。
产业链的传导也清楚了：AI算力对HBM的需求持续上行，HBM裸die堆叠锁在国际大厂内部，需求外溢到国产封测厂的是2.5D集成和存储高叠层订单；这两个环节扩产，又会拉动TSV刻蚀、混合键合等封装设备的国产验证需求。设备国产化的观察点在这，不在HBM堆叠本身。
为什么这个回应值得关注？因为市场过去一段时间把HBM国产化的叙事讲得太满。一说存储扩产，就联想到HBM从设计到封测全面国产；一说先进封装，就认为国产封测厂马上要接住AI芯片的封装订单。通富的回应给出了一个更冷静的分工图景：HBM的die堆叠环节在国际存储大厂内部，国产封测的真实订单入口，是模组做好之后的2.5D集成和传统存储封测。
从产业周期看，这个分工短期内不会变。HBM的TSV加混合键合工艺和先进DRAM制程深度绑定，存储大厂自产自封的效率优势是数量级的，外包只会发生在非核心环节。但反过来看，这也给国产设备链留出了明确的验证窗口：国产OSAT要扩2.5D集成和存储高叠层产能，就得采购和验证TSV刻蚀、混合键合设备，这部分需求是实打实的。
对产业链企业来说，2.5D集成（硅转接板、硅桥方案）的客户导入节奏是最值得跟的信号，谁先拿到国际头部客户的2.5D批量订单，谁就站住了AI封装供应链的位置；设备厂盯国产OSAT扩产带出的TSV和键合设备验证窗口。对封测与设备企业来说，通富中报预增和扩产项目兑现的是传统封测景气与国产化加速，这部分是真金白银；"HBM封测自主"则是长线逻辑，核心堆叠环节短期撬不动，2.5D集成和存储高叠层才是国产能吃到订单的现实战场。
未来盯三件事：国产封测厂2.5D集成是否出现国际头部客户批量订单；TSV和混合键合设备的国产验证进度；通富存储高叠层84.96万片新产能的爬坡节奏。这三件事里出现任何一件的实质进展，都值得单独写一篇跟踪。
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