鬃晶科技取得大厚度碳化硅晶体生长装置专利，能够实现碳化硅单晶制备时的持续补料(铱晶科技)

国家知识产权局信息显示，嘉兴鬃晶科技有限公司取得一项名为“大厚度碳化硅晶体生长装置”的专利，授权公告号CN224901621U，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体材料的技术领域，具体为大厚度碳化硅晶体生长装置，包括石墨保温层、位于石墨保温层内的石墨加热器和位于石墨加热器内的生长组件；所述生长组件包括位于石墨加热器中间的下坩埚和倒扣在下坩埚上方的上坩埚；所述上坩埚的下方固定有多孔石墨圆筒；所述下坩埚的下部固定有坩埚底，坩埚底的中心设有凹槽，多孔石墨圆筒插入到凹槽内；下坩埚的中部设有填料仓；下坩埚的上部设有沿上坩埚的外周环形布置的补料仓。本方案能够实现碳化硅单晶制备时的持续补料，避免热场破坏与杂质侵入，保障大厚度碳化硅结晶质量。

天眼查资料显示，嘉兴鬃晶科技有限公司，成立于2025年，位于嘉兴市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本558.3334万人民币。通过天眼查大数据分析，嘉兴鬃晶科技有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5条。

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